GTO snubber capacitor ուժային էլեկտրոնային սարքավորումներում

Կարճ նկարագրություն:

Snubber սխեմաները կարևոր են անջատիչ սխեմաներում օգտագործվող դիոդների համար:Այն կարող է փրկել դիոդը գերլարման բարձրացումներից, որոնք կարող են առաջանալ հակադարձ վերականգնման գործընթացում:

Նամակ ուղարկեք մեզ Ներբեռնեք որպես PDF

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

Տեխնիկական տվյալները

Գործող ջերմաստիճանի միջակայք	Առավելագույն աշխատանքային ջերմաստիճան., Վերին, մաքս.՝ + 85℃Վերին կատեգորիայի ջերմաստիճան՝ +85℃Ստորին կատեգորիայի ջերմաստիճան՝ -40℃
հզորության միջակայք	0,22-3 μF
Գնահատված լարումը	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Դիմանալ լարման	1.35Un DC/10S
Դիսիպացիոն գործոն	tgδ≤0.001 f=1KHz
Մեկուսացման դիմադրություն	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S-ում) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S-ում)
Դիմանալ հարվածային հոսանքին	տես տվյալների թերթիկը
Կյանքի տեւողություն	100000 ժ (Չէ; Θթեժ կետ≤70°C)
Հղման ստանդարտ	IEC 61071;

Առանձնահատկություն

1. Mylar ժապավեն, կնքված խեժով;

2. Պղնձի ընկույզի տանողներ;

3. Դիմադրություն բարձր լարման, ցածր tgδ, ցածր ջերմաստիճանի բարձրացման;

4. ցածր ESL և ESR;

5. Բարձր զարկերակային հոսանք:

Դիմում

1. GTO Snubber.

2. Լայնորեն օգտագործվում է իշխանության էլեկտրոնային սարքավորումների, երբ գագաթնակետին լարման, գագաթնակետին ընթացիկ կլանման պաշտպանությունը.

Տիպիկ միացում

Եզրագծային գծանկար

Հստակեցում

Un=3000V.DC
Հզորություն (μF)	φD (մմ)	L (մմ)	L1 (մմ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,22	35	44	52	25	1100 թ	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330 թ	35
0,47	51	44	52	22	850 թ	399 թ	45
0,68	61	44	52	22	800 թ	544 թ	55
1	74	44	52	20	700 թ	700 թ	65
1.2	80	44	52	20	650 թ	780 թ	75
1.5	52	70	84	30	600 թ	900 թ	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200 թ	65
4.0	83	70	84	30	350 թ	1400 թ	70
Un=6000V.DC
Հզորություն (μF)	φD (մմ)	L (մմ)	L1 (մմ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,22	43	60	72	25	1500 թ	330 թ	35
0,33	52	60	72	25	1200 թ	396 թ	45
0,47	62	60	72	25	1000	470 թ	50
0,68	74	60	72	22	900 թ	612 թ	60
1	90	60	72	22	800 թ	900 թ	75

Un=7000V.DC
Հզորություն (μF)	φD (մմ)	L (մմ)	L1 (մմ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,22	45	57	72	25	1100 թ	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680 թ	25
1.0	43	80	92	28	850 թ	850 թ	30
1.5	52	80	92	25	800 թ	1200 թ	35
1.8	57	80	92	25	700 թ	1260 թ	40
2.0	60	80	92	23	650 թ	1300 թ	45
3.0	73	80	92	22	500	1500 թ	50

Un=8000V.DC
Տարողություն (μF)	φD (մմ)	L (մմ)	L1 (մմ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,33	35	90	102	30	1100 թ	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470 թ	30
0,68	49	90	102	28	850 թ	578 թ	35
1	60	90	102	25	800 թ	800 թ	40
1.5	72	90	102	25	700 թ	1050 թ	45
2.0	83	90	102	25	650 թ	1300 թ	50

Un=10000V.DC
Հզորություն (μF)	φD (մմ)	L (մմ)	L1 (մմ)	ESL (nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0,33	45	114	123	35	1500 թ	495 թ	30
0,47	54	114	123	35	1300 թ	611 թ	35
0,68	65	114	123	35	1200 թ	816 թ	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800 թ	1200 թ	70